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IRFR3708PBF是MOSFET N-CH 30V 61A DPAK，包括管封装，它们设计为以0.139332盎司单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供87 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.7 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为61 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为0.6V至2V，Rds导通漏极-漏极电阻为14mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17.6ns，典型接通延迟时间为7.2ns，Qg栅极电荷为24nC，正向跨导最小值为49S，并且信道模式是增强。
IRFR3707ZTRRPBF是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 56A DPAK。IRFR3707 ZTRRPBB有TO-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 56A-DPAK、Trans MOSFET N-CH20V 56A 3-Pin（2+Tab）DPAK T/R。
IRFR3708是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 61A DPAK。IRFR3707可提供TO-252-3、DPAK（2引线+TAB）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 61A-DPAK、N沟道30V 61A（Tc）87W（Tc）表面安装D-Pak。
