9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFS59N10D，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFS59N10D参考价格为3.40000美元。Infineon Technologies IRFS59N10D封装/规格：MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK。您可以下载IRFS59N10D英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFS5615TRLPBF是MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为144 W，器件提供20 V Vgs栅极-源极电压，器件具有33 a的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为150 V，Rds漏极源极电阻为34.5 mΩ，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为26 nC。
IRFS5620带有IR制造的用户指南。IRFS562采用TO-263封装，是FET的一部分-单个。
IRFS5620PBF是由IR制造的MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK。IRFS5620 PBF有TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH200V 24A-D2PAK、Trans-MOSFET N-CH Si 200V 24A2-Pin（2+Tab）D2PAK。
