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AUIRFZ44N是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 17.5欧姆，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供94 W Pd功耗，其最小工作温度范围为-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为60 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为49 A，Vds漏极-源极击穿电压为55 V，Rds漏极源极电阻为17.5 mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为44ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为42nC，沟道模式为增强。
AUIRFZ34N是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 40欧姆，包括20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于55 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7 ns，典型的关闭延迟时间设计为31 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为49 ns，器件的漏极-源极电阻为40 mOhms，Qg栅极电荷为22.7 nC，Pd功耗为68 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，并且Id连续漏极电流为26A，并且下降时间为40ns，并且配置为单，并且信道模式为增强。
AUIRFZ44NS是MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于45 ns，提供Id连续漏电流功能，如49 a，其最低工作温度范围为-55 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-252-3，器件采用管封装，器件具有94 W的Pd功耗，Qg栅极电荷为42 nC，Rds漏极-源极电阻为17.5 mOhms，上升时间为60 ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、典型关断延迟时间为44 ns，典型的接通延迟时间为12ns，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极电压为20V。
