9icnet为您提供NXP USA Inc.设计生产的PMV30XN，215，现场在9icnet销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PMV30XN，215参考价格0.10000美元。NXP USA Inc.PMV30XN，215封装/规格：MOSFET N-CH 20V 3.2A TO236AB。您可以下载PMV30XN，215英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线消息与我们联系，例如PMV30XN，215价格，库存数量，数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
PMV30UN2R，带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3，提供Si等技术特性，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，供应商设备包为TO-236AB（SOT23），该设备为单配置，该设备具有MOSFET N沟道、FET型金属氧化物，最大功率为490mW，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为655pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.2A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为32 mOhm@4.2A，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为11nC@4.5V，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为5.4A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs第h栅极-源阈值电压为400mV，Rds导通漏极-漏极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型导通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为6.2nC，并且前向跨导Min为15.8S，信道模式为增强。
PMV30UN.215，带有NXP制造的用户指南。PMV30UN.215采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
PMV30UN2，带有NXP制造的电路图。PMV30UN2在SOT-23封装中提供，是FET的一部分-单个。
PMV30XN，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PMV30XN在SOT-23封装中提供，是FET的一部分-单个。
