N沟道硅MOSFET通用开关器件应用
特色
•导通电阻低。•4V驱动。•电机驱动器，DC/DC转换器。•雪崩抗性保证。
2SK3708
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 2W（Ta），30W（Tc） 供应商设备包装: TO-220ML 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥14.89140
-
数量:
- +
- 总计: ¥14.89
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 通孔
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 10V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 部件状态 过时的
- 漏源电流 (Id) @ 温度 30A (Ta)
- 供应商设备包装 TO-220ML
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 73 nC @ 10 V
- 最大功耗 2W（Ta），30W（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4200 pF @ 20 V
- 导通电阻 Rds(ON) 33毫欧姆 @ 15A, 10V
2SK3708 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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2SK3708所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2SK3708 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SK3708价格参考￥14.891402，你可以下载 2SK3708中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SK3708规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
