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PMV65UN,215

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Ta) 最大功耗: 310mW (Ta), 2.17W (Tc) 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 恩智浦 (NXP)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2063

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  • 单价: ¥0.50700
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1,045.95
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.2A(Ta)
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商 恩智浦 (NXP)
  • 供应商设备包装 SOT-23 (TO-236AB)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.9 nC @ 4.5 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 76毫欧姆 @ 2A, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 183 pF@10 V
  • 最大功耗 310mW (Ta), 2.17W (Tc)

PMV65UN,215 产品详情

PMV65UN,215所属分类:分立场效应晶体管 (FET),PMV65UN,215 由 恩智浦 (NXP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PMV65UN,215价格参考¥0.507003,你可以下载 PMV65UN,215中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PMV65UN,215规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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