9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRF7665S2TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRF7665S2TR价格参考2.032美元。Infineon Technologies AUIRF7665S2TR封装/规格：MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET。您可以下载AUIRF7665S2TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRF7647S2TR是MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET，包括卷轴封装，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，数据表说明中显示了用于DirectFET-5的封装盒，该DirectFET-5提供Si等技术特性，通道数设计为在1通道中工作，以及单四漏双源配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为41 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为4.6 ns，上升时间为8.4 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为24 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为26 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为7.9ns，典型接通延迟时间为5.5ns，Qg栅极电荷为14nC，沟道模式为增强。
AUIRF7648M2TR是MOSFET 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 7欧姆，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了典型的开启延迟时间，用于12 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如19 ns，晶体管类型设计为在1 N通道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为23ns，器件提供7 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有35nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为63W，封装为卷轴式，封装外壳为DirectFET-9，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为68 A，下降时间为14 ns，配置为单四源双漏，通道模式为增强。
AUIRF7640S2TR是MOSFET 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 36mOhms，包括增强通道模式，它们设计为使用单四漏极配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于6.2 ns，提供Id连续漏极电流功能，如21 a，其最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用DirectFET-6封装盒，该器件具有一卷封装，Pd功耗为30W，Qg栅极电荷为7.3nC，Rds漏极源极电阻为36mOhm，上升时间为12ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为6.3ns，典型接通延迟时间为4ns，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极电压为20V。
