VDSS=40伏
RDS（开）=0.008Ω
ID=104A
国际整流器公司的第五代HEXFET®功率MOSFET采用先进的工艺技术，以实现每个硅区域的最小导通电阻。这一优势与HEXFET®功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计相结合，为设计者提供了一种适用于各种应用的极为高效的器件。
● 先进工艺技术
● 表面安装（IRL1104S）
● 低剖面通孔（IRL1104L）
● 175°C工作温度
● 快速切换
● 完全雪崩等级
● 逻辑电平门驱动
IRL1104S
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 104A（Tc） 最大功耗: 2.4W（Ta）、167W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥89.21804
-
数量:
- +
- 总计: ¥89.22
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
- 供应商设备包装 D2PAK
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 部件状态 过时的
- 导通电阻 Rds(ON) 8毫欧姆 @ 62A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 68 nC @ 4.5 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 104A（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3445 pF @ 25 V
- 最大功耗 2.4W（Ta）、167W（Tc）
IRL1104S 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| IRLML6246TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.48143 |
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| IRLML0100TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.68776 |
IRL1104S所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRL1104S 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRL1104S价格参考￥89.218042，你可以下载 IRL1104S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRL1104S规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
