VDSS=55伏
RDS（开启）=14.5mΩ
ID=42A
这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计，采用最新的工艺技术，实现每硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点是175°C结工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使该设计成为一种非常高效和可靠的设备，可用于汽车应用和各种其他应用。
特色
- 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
- 根据JEDEC标准进行产品鉴定
- 正常电平：针对10 V栅极驱动电压进行了优化
- 行业标准表面安装电源组件
- 能够进行波峰焊接
IRFR2905ZTRLPBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥12.16807
-
数量:
- +
- 总计: ¥12.17
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电压标 (Vdss) 55 V
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 供应商设备包装 D-Pak
- 最大功耗 110W（Tc）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 44 nC @ 10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 42A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 14.5毫欧姆@36A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1380 pF@25 V
- 部件状态 Digi-Key停产
IRFR2905ZTRLPBF 产品详情
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IRFR2905ZTRLPBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFR2905ZTRLPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFR2905ZTRLPBF价格参考￥12.168072，你可以下载 IRFR2905ZTRLPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFR2905ZTRLPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
