9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRFP2907Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRFP2907Z价格参考1.998美元。Infineon Technologies AUIRFP2907Z封装/规格：MOSFET N-CH 75V 170A TO247AC。您可以下载AUIRFP2907Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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AUIRFP1405是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms，包括管封装，设计用于1.340411 oz单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供310 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为150 ns，上升时间为160 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为160 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为140ns，典型导通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为120nC，正向跨导Min为77S。
AUIRFP2907是MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 4.5欧姆，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在75 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如23 ns，典型的关闭延迟时间设计为130 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为190 ns，器件的漏极-源极电阻为4.5 mOhms，Qg栅极电荷为410 nC，Pd功耗为470 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，并且Id连续漏极电流是209A，并且下降时间是130ns，并且配置是单一的，并且信道模式是增强的。
AUIRFP2602是“由IR制造的MOSFET汽车MOSFET 24V。AUIRFP26002采用TO-247封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持”MOSFET汽车用MOSFET 24V、N沟道24V 180A（Tc）380W（Tc，260 nC Qg，TO-247。
