9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STFI26NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STFI26NM60N参考价格$6.162。STMicroelectronics STFI26NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP。您可以下载STFI26NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STFI260N6F6带有引脚细节，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于管封装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供I2PAKFP-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1信道数量的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供41.7 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为62.6 ns，上升时间为165 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为80 A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为144.4ns，典型接通延迟时间为31.4ns，Qg栅极电荷为183nC。
STFI24NM60N是MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A MDmesh II，包括650 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与1 N沟道晶体管类型一起工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计为在N沟道MDmesh中工作，该器件还可以用作30W Pd功耗。此外，包装为管式，装置采用I2PAKFP-3包装盒，装置具有1个通道数，安装方式为通孔，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为17 a。
STFI26N60M2，带有ST制造的电路图。STFI26N80M2以TO-262F封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单个、，并支持“MOSFET N沟道600 V，N沟道600V 20A（Tc）30W（Tc）通孔I2PAKFP（TO-281），Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3引脚（3+Tab）I2PAKF管，MOSFET N信道600 V，典型0.14欧姆，I2PAKFP封装中的20 A MDmesh M2功率MOSFET”。
