9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRFR120Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRFR120Z参考价格为0.89000美元。Infineon Technologies AUIRFR120Z封装/规格：MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK。您可以下载AUIRFR120Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRFR1018ETR是MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms，包括卷筒封装，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供110 W Pd功耗，该器件具有20 V Vgs栅极-源极电压，Id连续漏极电流为79 a，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为8.4 mΩ，晶体管极性为N沟道、Qg栅极电荷为46 nC。
AUIRFR1018ETRL是MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作8.4mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为46 nC，该器件提供110 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为79 a，配置为单通道。
AUIRFR1018ETRR是MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms，包括单一配置，它们设计为以79 a Id连续漏电流运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供多个信道功能，如1信道，封装盒设计为在to-252-3中工作，以及卷筒封装，该器件也可以用作110W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为46 nC，器件提供8.4 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有Si of Technology，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.13932 oz，Vds漏极源极击穿电压为60 V，Vgs栅极-源极电压为20 V。
