9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STFI34NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STFI34NM60N价格参考$4.112。STMicroelectronics STFI34NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 29A I2PAKFP。您可以下载STFI34NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STFI28N60M2带有引脚细节，包括MDmesh M2系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.073511盎司，具有通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-262-3，以及Si技术，该设备也可用于1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有30W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为7.2 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-25 V，Id连续漏极电流为22 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs第栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为150m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为14.5ns，Qg栅极电荷为36nC，沟道模式为增强。
STFI34N65M5是MOSFET N-Ch 650 V 0.09 Ohm 28 A MDmesh（TM）M5，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于25 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于650 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道，以及MDmesh商品名，该设备也可以用作Si技术。此外，该系列为MDmesh M5，器件的上升时间为8.7 ns，器件的漏极-源极电阻为90 mOhms，Qg栅极电荷为62.5 nC，Pd功耗为35 W，封装为管，封装外壳为I2PAKFP-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为28 A，下降时间为7.5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带电路图的STFI31N65M5，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间如数据表注释所示，用于8.5 ns，提供Id连续漏极电流功能，如22 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用I2PAKFP-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为30W，Qg栅极电荷为45nC，Rds漏极源极电阻为124mOhm，上升时间为8ns，系列为MDmesh M5，技术为Si，商品名为MDmese，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极电压为25V，Vgsth栅极-源阈值电压为4V。
