9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRFR120ZTRL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRFR120ZTRL参考价格为0.44000美元。Infineon Technologies AUIRFR120ZTRL封装/规格：MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK。您可以下载AUIRFR120ZTRL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRFR120Z是MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 190mOhms，包括管封装，它们设计为以0.13932盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供35 W Pd功耗，其最小工作温度范围为-55 C，下降时间为23 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为8.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为190 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为27ns，典型接通延迟时间为8.3ns，Qg栅极电荷为6.9nC，沟道模式为增强。
AUIRFR1018ETRR是MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作8.4mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为46 nC，该器件提供110 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为79 a，配置为单通道。
AUIRFR120ZPBF带有由IR制造的电路图。AUIRFR120 ZPBF采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
