9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRFR2307Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRFR2307Z价格参考8.394美元。Infineon Technologies AUIRFR2307Z封装/规格：MOSFET N-CH 75V 42A DPAK。您可以下载AUIRFR2307Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRFR120ZTRL是MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 190mOhms，包括卷筒封装，它们设计为以0.13932盎司单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供35 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为23 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds漏极漏极-漏极电阻为190mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为27ns，典型接通延迟时间为8.3ns，沟道模式为增强。
AUIRFR120ZTRR是MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 190mOhms，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8.3 ns，典型的关闭延迟时间设计为27 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件的上升时间为26 ns，该器件具有190 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为35 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为3.1A，下降时间为23ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
AUIRFR120ZPBF带有由IR制造的电路图。AUIRFR120 ZPBF采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
