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IRFR3704ZTRPBF是MOSFET N-CH 20V 60A DPAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供48 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为8.9 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为60 A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.1V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为4.9ns，典型接通延迟时间为41ns，Qg栅极电荷为9.3nC，正向跨导最小值为41S，沟道模式为增强。
IRFR3705带有由IR制造的用户指南。IRFR3704采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
IRFR3706是由IR制造的MOSFET N-CH 20V 75A DPAK。IRFR3702有TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH20V 75A DPE，N沟道20V 75A（Tc）88W（Tc）表面安装D-Pak。
IRFR3706CTRPBF，带IOR制造的EDA/CAD模型。IRFR3706CTRPBF采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
