9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDB2552-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDB2552-F085参考价格为3.064美元。onsemi FDB2552-F085封装/规格：MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB。您可以下载FDB2552-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDB2552是MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB，包括PowerTrench系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于FDB2552_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.046296盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TO-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为150 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为29 ns，上升时间为29纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为37A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds导通漏极-电源电阻为32m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为12ns，沟道模式为增强。
带有用户指南的FDB2532_F085，包括4 V Vgs第四栅极-源极阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅极-源电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于150 V，提供单位重量功能，如0.046296 oz，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，上升时间为30 ns，器件提供14 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有82 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为310 W，封装为卷轴，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为79 a，下降时间为17 ns。
FDB2532（FDI2532），带有FAIRCHILD制造的电路图。FDB2532（FDI2532）采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
