9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1071X-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1071X-T1-GE3参考价格为3.028美元。Vishay Siliconix SI1071X-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6。您可以下载SI1071X-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI1070X-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装。数据表注释中显示了用于SI1070X-GE3的零件别名，该SI1070X-GE3提供单位重量功能，如0.001129盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-563、SOT-666包装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SC-89-6，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为236mW，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为385pF@15V，FET特性为标准，Rds On Max Id Vgs为99 mOhm@1.2A，4.5V，Vgs th Max Id为1.55V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为8.3nC@5V，Pd功耗为236 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为22纳秒，上升时间为22 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为1.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds导通-漏极电阻为99毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14纳秒，典型的开启延迟时间为10ns，信道模式为增强。
SI1070X-T1-E3是VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F。SI1070X-T1-E3在SOT-563、SOT-666封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F、N沟道30V 236mW（Ta）表面安装SC-89-6。
SI1071X-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F。SI1071X-T1-E3以SOT-563、SOT-666封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F、P沟道30V 236mW（Ta）表面安装SC-89-6。
Si1071X-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6。Si1071X-T1-GE3可在SOT-563、SOT-666封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6、P沟道30V 236mW（Ta）表面安装SC-89-6。
