9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRFR2607ZTRL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRFR2607ZTRL参考价格为23.828美元。Infineon Technologies AUIRFR2607ZTRL封装/规格：MOSFET N-CH 75V 42A DPAK。您可以下载AUIRFR2607ZTRL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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AUIRFR2607ZTR是MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 22mOhms，包括卷筒封装，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供110 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为28 ns，上升时间为59 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Rds导通漏极-漏极电阻为22mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为39ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强。
AUIRFR2607Z是MOSFET N-CH 75V 42A DPAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在75 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如14 ns，典型的关闭延迟时间设计为39 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为59ns，器件的漏极-源极电阻为22mOhm，Qg栅极电荷为34nC，Pd功耗为110W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，并且Id连续漏极电流为45A，并且下降时间为28ns，并且配置为单，并且信道模式为增强。
AUIRFR2407TRR是MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 26mOhms，包括单一配置，它们设计为以42 a Id连续漏极电流工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供1通道等多个通道功能，封装盒设计为在to-252-3中工作，以及卷筒封装，该器件也可以用作110W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为74 nC，器件提供26 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有Si of Technology，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.13932 oz，Vds漏极源极击穿电压为75 V，Vgs栅极-源极电压为20 V。
