9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRFR3504Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRFR3504Z参考价格为0.82000美元。Infineon Technologies AUIRFR3504Z封装/规格：MOSFET N-CH 40V 42A DPAK。您可以下载AUIRFR3504Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRFR3504TR是MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 9.2mOhms，包括卷轴封装，它们设计为以0.13932盎司单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该产品提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供140 W Pd功耗，其最小工作温度范围为-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为53 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为87 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Rds漏极源极电阻为9.2 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为48nC，沟道模式为增强。
AUIRFR3504TRL是MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 9.2mOhms，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为36 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为53 ns，器件的漏极-源极电阻为9.2 mOhms，Qg栅极电荷为48 nC，Pd功耗为140 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，并且Id连续漏极电流是87A，并且下降时间是22ns，并且配置是单一的，并且信道模式是增强的。
AUIRFR3504TRR是MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 9.2mOhms，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于22 ns，提供Id连续漏电流功能，如87 a，其最低工作温度范围为-55 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-252-3，器件采用卷筒封装，器件具有140W的Pd功耗，Qg栅极电荷为48nC，Rds漏极-源极电阻为9.2mOhms，上升时间为53ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型的导通延迟时间为11ns，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为20V。
