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IRFR18N15DPBF是MOSFET N-CH 150V 18A DPAK，包括管封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供110 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9.8 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为18 A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极阈值电压为5.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为125mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为8.8ns，Qg栅极电荷为28nC，正向跨导最小值为4.2S，沟道模式为增强。
IRFR18N15DTR是由IR制造的MOSFET N-CH 150V 18A DPAK。IRFR18N25DTR可提供TO-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH150V18A DPAK、N沟道150V18A（Tc）110W（Tc）表面安装D-Pak。
IRFR18N15DTRLPBF带有由IR制造的电路图。IRFR18N25DTRLPBFSOT252封装提供，是IC芯片的一部分。
