9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH4213TRPBF,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH4213TRPBF参考价格$3.382。Infineon Technologies IRFH4213TRPBF封装/规格:MOSFET N-CH 25V 41A PQFN。您可以下载IRFH4213TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFH4213DTRPBF是MOSFET 25V单N-Ch HEXFET PWR 50A,包括卷轴封装,它们设计用于SMD/SMT安装方式,商品名显示在FastIRFet的数据表注释中,FastIRFet提供封装盒功能,如PQFN-8,技术设计用于Si,以及1通道数量的通道,该设备也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,该器件提供3.6 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为12 ns,上升时间为30 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为40 A,Vds漏极-源极击穿电压为25V,Vgs栅极-源极阈值电压为1.6V,Rds导通漏极-漏极电阻为1.5mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为18ns,典型接通延迟时间为14ns,Qg栅极电荷为55nC,正向跨导Min为340S。
IRFH4210TRPBF是MOSFET 25V单N-Ch HEXFET PWR 50A,包括1.6V Vgs栅极-源极阈值电压,它们设计为在20V Vgs栅-源极电压下工作,Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中,用于25V,提供典型的开启延迟时间功能,如20ns,典型的关闭延迟时间设计为24ns,该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外,该技术为Si,器件的上升时间为44ns,器件的漏极-源极电阻为1.1mOhms,Qg栅极电荷为74nC,Pd功耗为3.6W,封装为卷轴式,封装盒为PQFN-8,通道数为1通道,安装方式为SMD/SMT,其最低工作温度范围为-55 C,其最大工作温度范围为+150℃,Id连续漏极电流为45 A,正向跨导最小值为251 S,下降时间为15 ns,配置为单一。
IRFH4210PBF带有由IR制造的电路图。IRFH4210 PBF采用QFN-8封装,是IC芯片的一部分。