9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRF1018ES，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRF1018ES价格参考1.844美元。Infineon Technologies AUIRF1018ES封装/规格：MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK。您可以下载AUIRF1018ES英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRF1010ZSTRL是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms，包括卷轴封装，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供140 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为92 ns，上升时间为150 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为44 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds漏极漏极-漏极电阻为7.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为18ns，沟道模式为增强。
AUIRF1010ZSTRR是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在55 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为36 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为150 ns，器件的漏极-源极电阻为7.5 mOhms，Pd功耗为140 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为44 A，下降时间为92 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
AUIRF1018E是MOSFET 60V 79A 8.4 mOhm汽车MOSFET，包括79 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式工作，封装盒如数据表注释所示，用于to-220-3，提供管、Pd功耗等封装功能，设计为在110 W下工作，以及46 nC Qg栅极电荷，该器件也可以用作8.4mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，该技术是Si，该器件以N沟道晶体管极性提供，该器件具有0.211644盎司的单位重量，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极电压为20V。
