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IRFR18N15DTRPBF是MOSFET N-CH 150V 18A DPAK，包括卷筒包装，它们设计为以0.13932盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1信道数信道，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为110 W，器件提供30 V Vgs栅极-源极电压，器件具有18 a的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为150 V，Rds漏极源极电阻为125 mΩ，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为28 nC。
IRFR18N15DTRLPBF和IR制造的用户指南。IRFR18N25DTRLPBFSOT252封装提供，是IC芯片的一部分。
IRFR18N15DTRR是由IR制造的MOSFET N-CH 150V 18A DPAK。IRFR18N25DTRR可提供TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH150V 18A-DPAK，N-沟道150V 18B（Tc）110W（Tc）表面安装D-Pak。
