9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDB8443-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDB8443-F085参考价格为6.024美元。onsemi FDB8443-F085封装/规格：MOSFET N-CH 40V 25A TO263AB。您可以下载FDB8443-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDB8443是MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB，包括卷盘封装，其设计为单位重量0.046296盎司，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供TO-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供188 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13.5 ns，上升时间为17.9 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为25 A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds漏极漏极-漏极电阻为2.3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为18.4ns，沟道模式为增强。
FDB8442_F085和用户指南，包括40 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.046296 oz单位重量运行，数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，以及2.1 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作254W Pd功率耗散。此外，包装为卷轴式，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有1个通道数，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为80 a。
FDB8442是FSC制造的MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK。FDB8442可用于TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK、N沟道40V 28A（Ta）、80A（Tc）254W（Tc）表面安装TO-263AA。
