9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRLR3802TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRLR3802TRPBF参考价格为0.32美元。Infineon Technologies IRLR3802TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 12V 84A DPAK。您可以下载IRLR3802TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRLR3717TRPBF是MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 21nC，包括卷筒封装，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供89 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为120 A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.45V，Rds导通漏极-漏极电阻为4mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为5.8ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为21nC，正向跨导最小值为49S，沟道模式为增强。
IRLR3802PBF是MOSFET N-CH 12V 84A DPAK，包括1.9 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于12 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于12 V，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，典型的开启延迟时间设计为11 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为14ns，漏极-源极电阻Rds为8.5mOhms，Qg栅极电荷为27nC，Pd功耗为88W，封装为管，封装盒为TO-252-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为84 A，正向跨导最小值为31 S，下降时间为17 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IRLR3802，带有由IR制造的电路图。IRLR3801采用TO-252封装，是FET的一部分-单个。
