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AUIRFR4105TR是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 45欧姆，包括卷轴封装，它们设计为以0.13932盎司单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供68 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为49 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds漏极漏极-漏极电阻为45m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为31ns，典型接通延迟时间为7ns，沟道模式为增强。
AUIRFR4104TRR是MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如17 ns，典型的关闭延迟时间设计为37 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为69 ns，器件具有5.5 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为59 nC，Pd功耗为140 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，并且Id连续漏极电流是119A，并且下降时间是36ns，并且配置是单一的，并且信道模式是增强的。
AUIRFR4105是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 45欧姆，包括增强通道模式，它们设计用于单配置操作，下降时间显示在数据表注释中，用于40纳秒，提供Id连续漏极电流功能，如27 a，其最低工作温度范围为-55 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-252-3，器件采用管封装，器件具有68W的Pd功耗，Qg栅极电荷为22.7nC，Rds漏极-源极电阻为45m欧姆，上升时间为49ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为31ns，典型的接通延迟时间为7ns，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极电压为20V。
