9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRF1405，该产品在9icnet现场销售，可通过原始工厂和代理商等渠道购买。AUIRF1405参考价格为2.684美元。Infineon Technologies AUIRF1405封装/规格：MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB。您可以下载AUIRF1405英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRF1404ZSTRL是MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms，包括卷筒封装，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供200 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为58 ns，上升时间为110 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为180 A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.7mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为100nC，沟道模式为增强。
AUIRF1404ZS是MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为36 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为110ns，器件的漏极-源极电阻为3.7mOhms，Qg栅极电荷为100nC，Pd功耗为200W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，并且Id连续漏极电流为180A，并且下降时间为58ns，并且配置为单，并且信道模式为增强。
AUIRF1404ZSTRR带有由IR制造的电路图。AUIRF1404 ZSTRR采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
