9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFR13N20DTRRP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR13N20DTRRP价格参考1.646美元。Infineon Technologies IRFR13N20DTRRP封装/规格：MOSFET N-CH 200V 13A DPAK。您可以下载IRFR13N20DTRRP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFR13N20DPBF是MOSFET N-CH 200V 13A DPAK，包括管封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供110 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为14 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为235mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为25nC，沟道模式为增强。
IRFR13N20DTRPBF是MOSFET N-CH 200V 13A DPAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为17 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为27 ns，器件的漏极-源极电阻为235 mOhm，Qg栅极电荷为25 nC，Pd功耗为110 W，封装为卷轴，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为14A，下降时间为10ns，配置为单一，通道模式为增强。
IRFR13N20DTRLP是MOSFET N-CH 200V 13A DPAK，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于10ns，提供Id连续漏极电流功能，如14A，其最低工作温度范围为-55 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-252-3，器件采用卷筒封装，器件具有110W的Pd功耗，Qg栅极电荷为25nC，Rds漏极-源极电阻为165mOhms，上升时间为27ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型的导通延迟时间为11ns，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IRFR13N20DTRLPBF带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRFR13N10DTRLPBFTO-252封装，是IC芯片的一部分。
