9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH7110TRBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH7110TRPBF参考价格为0.50000美元。Infineon Technologies IRFH7110TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PFN。您可以下载IRFH7110TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFH7085TRPBF具有引脚细节，包括卷筒封装，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作，数据表注释中显示了用于PQFN-8的封装盒，该PQFN-8提供Si等技术特性，信道数设计为在1信道中工作，以及单配置，该设备也可以用作1 N信道晶体管类型，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为23ns，上升时间为25ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为147A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第h栅极-源极端电压为3.7V，Rds导通漏极-源极电阻为3.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为63ns，典型接通延迟时间为13ns，Qg栅极电荷为110nC，正向跨导Min为140S。
IRFH7107TR2PBF是MOSFET 75V 75A 8.5mOhm 48nC Qg，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在75 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，其提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，以及12 ns上升时间，该器件也可以用作8.5毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为48 nC，该器件提供3.6 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为PQFN-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为75 a，前向跨导Min为68S，下降时间为6.5ns，配置为Single。
IRFH7107TRPBF是MOSFET N-CH 75V 14A 8PFN，包括1个通道数量的通道，它们设计为使用卷轴封装操作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供晶体管极性特性，如N通道，晶体管类型设计为在1个N通道中工作。
