9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRF2805，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRF2805参考价格1.84000美元。Infineon Technologies AUIRF2805封装/规格：MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB。您可以下载AUIRF2805英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRF2804STR7P是MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms，包括卷筒封装，它们设计为以0.139332盎司单位重量运行，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单频源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供330 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为100 ns，上升时间为150 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为320 A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.6mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为170nC，正向跨导最小值为220S，沟道模式为增强。
AUIRF2804STRR7P是MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于40 V，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，典型的开启延迟时间设计为17 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为150纳秒，漏极-源极电阻Rds为1.6毫欧姆，Qg栅极电荷为170 nC，Pd功耗为330 W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为320 A，正向跨导最小值为220 S，下降时间为100 ns，配置为单奎因源，信道模式为增强。
AUIRF2804WL是MOSFET 40V 295A 1.8mOhm汽车MOSFET，包括295 A Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+175 C，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供通道数功能，如1通道，封装外壳设计用于to-262-3，以及管封装，该器件也可以用作300W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为150 nC，器件提供1.8 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有技术硅，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.073511盎司，Vds漏极源极击穿电压为40 V。
