FDmesh™ 将降低导通电阻和快速开关的所有优点与固有的快速恢复体二极管相关联。因此，强烈建议在
特别是ZVS移相转换器。
■ 高dv/dt和雪崩能力
■ 100%雪崩测试
■ 低输入电容和栅极电荷
■ 低栅极输入电阻E
■ 严格的过程控制和高的制造产量
STF20NM60D
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥94.63573
-
数量:
- +
- 总计: ¥94.64
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大功耗 45W (Tc)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 漏源电压标 (Vdss) 600 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
- 工作温度 -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 20A（Tc）
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 37 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 TO-220FP
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1300 pF@25 V
- 部件状态 过时的
- 导通电阻 Rds(ON) 290毫欧姆@10A，10V
- 材质 -
STF20NM60D 产品详情
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STF20NM60D所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STF20NM60D 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STF20NM60D价格参考￥94.635731，你可以下载 STF20NM60D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STF20NM60D规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
