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AUIRF2804STRR7P是MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhm，包括卷筒封装，设计用于0.139332盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1信道数量的信道，该设备也可以用作单频源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供330 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为100 ns，上升时间为150 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为320 A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.6mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为170nC，正向跨导最小值为220S，沟道模式为增强。
AUIRF2805是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 4.7mOhms，包括20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于55 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如14 ns，典型的关闭延迟时间设计为68 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为120 ns，器件的漏极-源极电阻为4.7 mOhms，Qg栅极电荷为150 nC，Pd功耗为330 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，并且Id连续漏极电流为175A，并且下降时间为110ns，并且配置为单，并且信道模式为增强。
AUIRF2804WL是MOSFET 40V 295A 1.8mOhm汽车MOSFET，包括295 A Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+175 C，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供通道数功能，如1通道，封装外壳设计用于to-262-3，以及管封装，该器件也可以用作300W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为150 nC，器件提供1.8 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有技术硅，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.073511盎司，Vds漏极源极击穿电压为40 V。
