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AUIRFR5410TRL是MOSFET AUTO-100V 1 P-CH HEXFET 205mOhms，包括卷筒封装，它们设计为在0.13932盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，该器件提供66 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为46 ns，上升时间为58 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Rds漏极源极电阻为205mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为15ns，沟道模式为增强。
AUIRFR5410是MOSFET P-CH 100V 13A DPAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为45 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为58ns，器件的漏极-源极电阻为205mOhms，Qg栅极电荷为38.7nC，Pd功耗为66W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，Id连续漏极电流为-13A，下降时间为46ns，配置为单一，通道模式为增强。
AUIRFR540ZTRR是由IR制造的“MOSFET汽车MOSFET 1 100V”。AUIRFR540 ZTRR可提供TO-252封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET车用MOSFET 1 100 V、MOSFET汽车用MOSFET 100 V、26 mOhm、DPAK”。
