9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7107DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7107DN-T1-GE3价格参考2.77美元。Vishay Siliconix SI7107DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 9.8A PPAK1212-8。您可以下载SI7107DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7106DN-T1-E3是MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI7106DN-E3的零件别名，该SI7106DN E3提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TrenchFET/PPowerPAK以及PowerPAKR 1212-8封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR 1212-8，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.5W，晶体管类型为1 N沟道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12.5A（Ta），最大Id Vgs的Rds为6.2mOhm@19.5A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为27nC@4.5V，Pd功耗为1.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为15纳秒，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为12.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.2毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50纳秒，典型的开启延迟时间为25ns，信道模式为增强。
SI7106DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于25 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如50 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，除了N沟道晶体管极性之外，该器件还可以用作TrenchFET/PPowerPAK商标。此外，技术为Si，器件为SI71xxDx系列，器件具有15 ns的上升时间，Rds漏极-源极电阻为6.2 mOhms，Pd功耗为1.5 W，零件别名为SI7106DN-GE3，封装为卷轴，封装盒为PowerPAK-1212-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为12.5 A，下降时间为15 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI7104DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8，包括单一配置，它们设计为在26.1 a Id连续漏电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数的通道，该设备也可以用作PowerPAK-1212-8封装盒。此外，包装为Reel，该器件以SI7104DN-GE3部件别名提供，该器件具有3.8 W的Pd功耗，Rds漏极-源极电阻为3.7 mOhms，系列为SI71xxDx，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、Vds漏极源极击穿电压为12 V，Vgs栅极-源极电压为12V。
SI7107DN-T1-E3是VISHAY制造的MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8。SI7107DN-T1-E3在PowerPAK®1212-8封装中提供，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8、P通道20V 9.8A（Ta）1.5W（Ta）表面安装PowerPAK？1212-8，Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8引脚PowerPAK 1212 T/R。
