9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRFR5505TRL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRFR5505TRL价格参考1.11美元。Infineon Technologies AUIRFR5505TRL封装/规格：MOSFET P-CH 55V 18A DPAK。您可以下载AUIRFR5505TRL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRFR5410TRL是MOSFET AUTO-100V 1 P-CH HEXFET 205mOhms，包括卷筒封装，它们设计为在0.13932盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，该器件提供66 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为46 ns，上升时间为58 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Rds漏极源极电阻为205mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为15ns，沟道模式为增强。
AUIRFR5410是MOSFET P-CH 100V 13A DPAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为45 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为58ns，器件的漏极-源极电阻为205mOhms，Qg栅极电荷为38.7nC，Pd功耗为66W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，Id连续漏极电流为-13A，下降时间为46ns，配置为单一，通道模式为增强。
AUIRFR5505是MOSFET AUTO-55V 1 P-CH HEXFET 110欧姆，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于16纳秒，提供Id连续漏电流功能，例如-18 a，其最低工作温度范围为-55 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-252-3，器件采用管封装，器件具有57W的Pd功耗，Qg栅极电荷为21.3nC，Rds漏极-源极电阻为110mOhm，上升时间为28ns，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型的开启延迟时间为12ns，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为-55V，Vgs栅极-源极电压为20V。
