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IPD100N04S4-02是MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPD100NO4S402ATMA1 IPD100NO 4S402XT SP000646184，其提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为150 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs第th栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型导通延迟时间为23ns，Qg栅极电荷为91nC，并且信道模式是增强。
IPD100N06S4-03是MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于60 V，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，典型的开启延迟时间设计为30 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以OptiMOS商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为OptiMOS-T2，上升时间为70 ns，漏极-源极电阻Rds为3.5欧姆，Qg栅极电荷为99 nC，Pd功耗为150 W，部件别名为IPD100N06S403ATMA1 IPD100NO6S403ATPA2 IPD100NO 6S403XT SP001028766，封装为卷筒，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为100 A，下降时间为5 ns，通道模式为增强型。
IPD100N04S4L02ATMA1，带有电路图，包括1个通道数量的通道，它们设计用于to-252-3封装盒。数据表说明中显示了用于卷盘的封装，该卷盘提供部件别名功能，如IPD100NO4S4L-02 SP001238380。技术设计用于Si，以及N通道晶体管极性，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。
