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IPD65R660CFDBTMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 516

  • 库存: 10
  • 单价: ¥11.86822
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6,124.00
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 22 nC@10 V
  • 供应商设备包装 PG-TO252-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Tc)
  • 部件状态 过时的
  • 导通电阻 Rds(ON) 660毫欧姆 @ 2.1A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 200A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 615 pF @ 100 V
  • 最大功耗 62.5W (Tc)

IPD65R660CFDBTMA1 产品详情

描述

COOLMOSTM CE是高压功率MOSFET的革命性技术。高电压能力将安全性、性能和坚固性结合在一起,以实现最高效率水平的稳定设计。COOLMOSTM800V CE具有选定的封装选择,可降低系统成本和更高的功率密度设计


特征

•高压技术

•极限edv/dt额定值

•高峰值电流能力

•低栅极电荷

•有效电容低

•符合JEDEC(J-STD20和JESD22)的工业级应用资格

•无铅铅镀层;符合RoHS;无卤模塑料

应用

•用于QR Flyback拓扑中改装应用的LED照明


特色

  • 集成快体二极管的650V技术
  • 硬换向过程中的有限电压过冲
  • 与600V CFD技术相比,Qg显著降低
  • RDS(开启)最大值与RDS(开启的)典型窗口更紧密
  • 易于设计
  • 与600V CFD技术相比,价格更低
  • 由于体二极管重复换向时Qrr低,开关损耗低
  • 自限di/dt和dv/dt
  • 低Qoss
  • 减少开启和开启延迟时间
  • 出色的CoolMOS™ 质量

应用

  • 电信
  • 服务器
  • 太阳的
  • HID灯镇流器
  • LED照明
  • 电子移动性


(图片:引线/示意图)

IPD65R660CFDBTMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPD65R660CFDBTMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPD65R660CFDBTMA1价格参考¥11.868216,你可以下载 IPD65R660CFDBTMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPD65R660CFDBTMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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