描述
COOLMOSTM CE是高压功率MOSFET的革命性技术。高电压能力将安全性、性能和坚固性结合在一起,以实现最高效率水平的稳定设计。COOLMOSTM800V CE具有选定的封装选择,可降低系统成本和更高的功率密度设计
特征
•高压技术
•极限edv/dt额定值
•高峰值电流能力
•低栅极电荷
•有效电容低
•符合JEDEC(J-STD20和JESD22)的工业级应用资格
•无铅铅镀层;符合RoHS;无卤模塑料
应用
•用于QR Flyback拓扑中改装应用的LED照明
特色
- 集成快体二极管的650V技术
- 硬换向过程中的有限电压过冲
- 与600V CFD技术相比,Qg显著降低
- RDS(开启)最大值与RDS(开启的)典型窗口更紧密
- 易于设计
- 与600V CFD技术相比,价格更低
- 由于体二极管重复换向时Qrr低,开关损耗低
- 自限di/dt和dv/dt
- 低Qoss
- 减少开启和开启延迟时间
- 出色的CoolMOS™ 质量
应用
- 电信
- 服务器
- 太阳的
- HID灯镇流器
- LED照明
- 电子移动性
(图片:引线/示意图)