一般说明
AOT11N60和AOTF11N60是使用先进的高压MOSFET工艺制造的,该工艺旨在在流行的AC-DC应用中提供高水平的性能和鲁棒性。通过提供低RDS(开)、Ciss和Crss以及保证的雪崩能力,这些部件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
(图片:引线/示意图)
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一般说明
AOT11N60和AOTF11N60是使用先进的高压MOSFET工艺制造的,该工艺旨在在流行的AC-DC应用中提供高水平的性能和鲁棒性。通过提供低RDS(开)、Ciss和Crss以及保证的雪崩能力,这些部件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
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