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FDB035AN06A0_F085带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.046296盎司单位重量，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该器件也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为310 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为93 ns，Id连续漏极电流为80 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Vgs栅极-源极阈值电压为4 V，Rds导通漏极-源极电阻为3.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为95nC。
FDB035N10A是MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.046296盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为54 ns，器件提供3 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有89 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为333 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为214 a，正向跨导最小值为167 S，下降时间为11ns。
FDB035AN06AO，带有FSC制造的电路图。FDB035AN06AO采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
