9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF8306MTRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF8306MTRPBF参考价格为1.17000美元。Infineon Technologies IRF8306MTRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET。您可以下载IRF8306MTRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF8306MTR1PBF是MOSFET MOSFT 30V Gen 3.6mOhm mx 25nC Og，包括卷筒封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装情况如数据表注释所示，用于DirectFET-7，提供Si等技术特性，信道数设计用于1信道，以及单配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为75W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19 ns，上升时间为34 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为23 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为25 mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为25nC，正向跨导Min为61S，沟道模式为增强。
IRF8302MTRPBF是MOSFET N-CH 30V 31A MX，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.019048盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及DirectFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，Rds漏极-源极电阻为2.7mOhm，器件提供35nC Qg栅极电荷，器件具有104W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为SOIC-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏极电流为190A，配置为单通道。
IRF8304MTRPBF是MOSFET 30V N沟道HEXFET功率MOSFET，包括170 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表说明中显示了用于1沟道的沟道数量，该沟道提供封装外壳功能，如Micro-8，封装设计为在卷筒中工作，以及100 W Pd功耗，该器件也可以用作28nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为3.2mOhm，该器件采用Si技术，该器件具有商品名的DirectFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，Vds漏极源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为20V。
