BUZ30AHXKSA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 38
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- 单价: ¥4.99760
-
数量:
- +
- 总计: ¥189.91
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 最大功耗 125W（Tc）
- 漏源电压标 (Vdss) 200伏
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 供应商设备包装 PG-TO220-3-1
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 1毫安
- 漏源电流 (Id) @ 温度 21A（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1900 pF @ 25 V
- 部件状态 过时的
- 导通电阻 Rds(ON) 130毫欧姆@13.5A，10V
BUZ30AHXKSA1 产品详情
Infineon SIPMOS®N沟道MOSFET
BUZ30AHXKSA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| BUZ31H3045A | 英飞凌 (Infineon) | ¥7.37182 |
BUZ30AHXKSA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BUZ30AHXKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BUZ30AHXKSA1价格参考￥4.997601，你可以下载 BUZ30AHXKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BUZ30AHXKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
