福利
•改进了闸门、雪崩和动态dV/dt耐用性
•完全表征电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV/dt和dI/dt能力
应用
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
特色
- 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
- 根据JEDEC标准进行产品鉴定
- 针对10 V栅极驱动电压（称为正常电平）进行了优化
- 行业标准通孔电源组件
- 高载流能力封装（高达195 A，取决于管芯尺寸）
- 能够进行波峰焊接
IRFB3307ZGPBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 230W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥15.77504
-
数量:
- +
- 总计: ¥15.78
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 120A（Tc）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 供应商设备包装 TO-220AB
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电压标 (Vdss) 75 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 110 nC@10 V
- 最大功耗 230W（Tc）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 150A
- 部件状态 过时的
- 导通电阻 Rds(ON) 5.8毫欧姆 @ 75A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4750 pF @ 50 V
IRFB3307ZGPBF 产品详情
IRFB3307ZGPBF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRFB3307ZGPBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFB3307ZGPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFB3307ZGPBF价格参考￥15.775036，你可以下载 IRFB3307ZGPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFB3307ZGPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
