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IRF7739L1TRPBF是MOSFET 40V N-Ch 270A 1.0 mOhm 220nC，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，产品名称显示在数据表注释中，用于DirectFET，提供封装外壳功能，如DirectFET-8，技术设计用于Si，以及1信道数信道，该设备也可以用作单十六进制漏八进制源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供125 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为42 ns，上升时间为71 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为270 A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为700uOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为56ns，典型接通延迟时间为21ns，Qg栅极电荷为220nC，正向跨导Min为280S。
IRF7726TRPBF是MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于15 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如227 ns，晶体管类型设计为在1个P通道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为25 ns，器件提供26 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有46 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为1.79 W，封装为卷轴式，封装外壳为Micro-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为-7A，正向跨导最小值为10S，下降时间为107ns，配置为单一，信道模式为增强。
IRF7726TR是由IR制造的MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8。IRF7726 TR采用8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽）封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH30V 7A MICRO8，P沟道30V 7A（Ta）1.79W（Ta）表面安装MICRO8？。
