9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FCPF190N60-F152，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FCF190N60-F152参考价格为1.164美元。onsemi FCPF190N60-F152封装/规格：MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F。您可以下载FCPF190N60-F152英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如FCPF190 N60-F152价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
FCPF16N60NT是MOSFET N-CH 600V TO-220-3，包括管封装，它们设计用于单位重量为0.080072盎司的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-33等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供357 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20.2 ns，上升时间为15.5 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为16 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为170mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60.3ns，典型接通延迟时间为15.8ns，正向跨导最小值为13S，沟道模式为增强。
FCPF16N60是MOSFET N-CH 600V 16A TO-220F，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.080072盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如42 ns，典型的关闭延迟时间设计为165 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为130 ns，器件的漏极电阻为260 mOhms，Pd功耗为37.9 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为16 A，正向跨导最小值为11.5 S，下降时间为90 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FCPF190N60是Fairchild制造的MOSFET N-CH 600V TO-220-3。FCPF190N60采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 600V TO-220-30、N沟道600V 20.2A（Tc）39W（Tc）通孔TO-220F-3、Trans MOSFET N-CH600V 20.2A 3引脚（3+Tab）TO-220FP管、MOSFET SuperFET2、190mohm。
