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SI7478DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8，包括SI74xxDx系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于SI7478DP GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SO-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为1.9 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为20纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为15A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-电源电阻为7.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为115ns，典型接通延迟时间为25ns，沟道模式为增强。
SI7483A，带有VISHAY制造的用户指南。SI7483A在BGA封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI7483ADP，电路图由SILICONIX制造。SI7483ADP在QFN8封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI7483ADP-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8。SI7483ADP-T1-E3以PowerPAK®SO-8封装形式提供，是IC芯片的一部分，支持MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8、P沟道30V 14V（Ta）1.9W（Ta）表面贴装PowerPAK？SO-8，跨MOSFET P-CH 30V 14A 8引脚PowerPAK SO T/R。
