英飞凌的一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的N沟道器件和引线封装以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内，电阻基准降低了传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
IRFB4115GPBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 104A（Tc） 最大功耗: 380W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
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- 单价: ¥35.27292
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 供应商设备包装 TO-220AB
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 120 nC@10 V
- 漏源电压标 (Vdss) 150伏
- 部件状态 过时的
- 最大功耗 380W (Tc)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5270 pF @ 50 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 104A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 11毫欧姆@62A，10V
IRFB4115GPBF 产品详情
N沟道功率MOSFET 150V至600V，英飞凌
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IRFB4115GPBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFB4115GPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFB4115GPBF价格参考￥35.272923，你可以下载 IRFB4115GPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFB4115GPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
