9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRF3007,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRF3007参考价格为5.598美元。Infineon Technologies AUIRF3007封装/规格:MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB。您可以下载AUIRF3007英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRF2907ZS7PTL是MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms,包括卷轴封装,它们设计为以0.13932盎司单位重量运行,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,提供to-252-3等封装外壳功能,技术设计为在Si中工作,以及1通道数量的通道,该设备也可以用作单一配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供300 W Pd功耗,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为44 ns,上升时间为90 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为44 A,Vds漏极-源极击穿电压为75V,Rds漏极漏极-漏极电阻为3.8mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为92ns,典型接通延迟时间为21ns,沟道模式为增强。
AUIRF2907ZS7PTR是MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms,包括20 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在75 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.13932盎司,提供典型的开启延迟时间功能,如21 ns,典型的关闭延迟时间设计为92 ns,该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外,该技术为Si,器件以90 ns上升时间提供,器件具有3.8 mOhms的Rds漏极-源极电阻,Pd功耗为300 W,封装为卷轴式,封装外壳为TO-252-3,通道数为1通道,安装类型为SMD/SMT,其最低工作温度范围为-55 C,其最大工作温度范围为+175℃,Id连续漏电流为44 A,下降时间为44 ns,配置为单通道,通道模式为增强型。
AUIRF3004WL是MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 1.4mOhms,包括增强通道模式,它们设计为以单一配置运行,下降时间显示在数据表注释中,用于130 ns,提供Id连续漏极电流功能,如386 a,其最低工作温度范围为-55 C,以及通孔安装样式,该设备也可以用作1信道数信道。此外,封装外壳为I2PAK-3,器件采用管封装,器件具有375W的Pd功耗,Qg栅极电荷为140nC,Rds漏极-源极电阻为1.4mOhm,上升时间为220ns,技术为Si,晶体管极性为N沟道,晶体管类型为1N沟道,典型关断延迟时间为90ns,典型接通延迟时间为19ns,单位重量为0.084199oz,Vds漏极-源极击穿电压为40V,Vgs栅极-源极电压为20V。