9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7749L2TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7749L2TRPBF参考价格$2.62000。Infineon Technologies IRF7749L2TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET。您可以下载IRF7749L2TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF7749L1TRPBF带有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，商品名显示在数据表注释中，用于DirectFET，提供封装盒功能，如DirectFET-15，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单十六进制漏极八进制源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供125 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为39 ns，上升时间为43 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为200 A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.9V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.1mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为78ns，典型导通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为200nC，正向跨导Min为280S。
IRF7748L1TRPBF是MOSFET 60V N-Ch 139A 2.15 mOhm 147nC，包括2.9 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供典型的开启延迟时间功能，如19 ns，典型的关闭延迟时间设计为54 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为DirectFET，该器件采用Si技术，该器件的上升时间为104纳秒，漏极-源极电阻Rds为1.7毫欧姆，Qg栅极电荷为146 nC，Pd功耗为94 W，封装为卷轴式，封装盒为DirectFET-13，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为148 A，正向跨导最小值为176 S，下降时间为77 ns，配置为单十六进制漏极十六进制源。
IRF7739L2TRPBF是MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 1mOhm 220nC，包括增强信道模式，它们设计为使用单十六进制漏极八进制源配置工作，数据表注释中显示了42 ns的下降时间，提供了Id连续漏极电流功能，如270 a，其最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用DirectFET-9封装盒，该器件具有一卷封装，Pd功耗为125W，Qg栅极电荷为220nC，漏极电阻Rds为700欧姆，上升时间为71ns，技术为Si，商品名为DirectFET，晶体管极性为N信道，并且晶体管类型是1N沟道，并且典型关断延迟时间是56ns，并且典型接通延迟时间是21ns，并且Vds漏极-源极击穿电压是40V，并且Vgs栅极-源极电压是20V。
