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FDFMA2P853是MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于6-WDFN暴露焊盘，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的6 MicroFET（2x2），配置为单肖特基二极管，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为700mW，晶体管类型为2 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为435pF@10V，FET特性为二极管（隔离），电流连续漏极Id 25°C为3A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为120 mOhm@3A，4.5V，Vgs最大Id为1.3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为6nC@4.5V，Pd功耗为1.4 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为11纳秒，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为3 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds导通漏极-漏极电阻为120毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为15 ns，典型的开启延迟时间为9ns，信道模式为增强。
FDFMA2P029Z是MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP，包括-20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如13 ns，典型的关闭延迟时间设计为37 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为11ns，器件的漏极-源极电阻为95mOhms，Pd功耗为1.4W，封装为卷轴式，封装外壳为microFET-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-3.1A，正向跨导最小值为-11S，下降时间为11ns，配置为单肖特基二极管，信道模式为增强型。
FDFMA2P857是MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2，包括增强信道模式，它们设计为使用肖特基二极管配置的单体工作，下降时间显示在数据表注释中，用于11ns，提供正向跨导最小特性，如7S，Id连续漏极电流设计为工作在-3A，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件提供1个通道数量的通道，该器件具有封装外壳的microFET-6，封装为卷轴，Pd功耗为1.4 W，漏极电阻Rds为120 mOhms，上升时间为11 ns，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为9ns，单位重量为0.002116盎司，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极电压为8V。
FDFMA2P853T是MOSFET MOSFET/肖特基-20V Int.PCh PowerTrench，包括SMD/SMT安装样式，它们设计用于单肖特基二极管配置，技术如数据表说明所示，用于Si，提供卷轴、晶体管极性等封装功能，设计用于P沟道，以及microFET-6封装外壳，该设备也可以用作增强信道模式。此外，典型的接通延迟时间为9纳秒，该器件提供8 V Vgs栅极-源极电压，该器件具有3 a的Id连续漏极电流，典型的断开延迟时间为15纳秒，Rds接通漏极-源极电阻为120毫欧姆，下降时间为11纳秒，上升时间为11 ns，Pd功耗为1.4 W，晶体管类型为1 P沟道，通道数为1通道，单位重量为0.001411盎司，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V。
